IRLR8743TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 160А [D-PAK]
![Фото 1/6 IRLR8743TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 160А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179876.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/578/DOC033578131.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
220 руб.
от 15 шт. —
179 руб.
1 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 160 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0031 Ом/25А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 | |
Крутизна характеристики, S | 89 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов