IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]
![Фото 1/7 IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/670/DOC013670366.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/844/DOC043844046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/447/DOC004447557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181893.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/431/DOC013431789.jpg)
660 руб.
от 5 шт. —
646 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 660 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 10…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 2.7 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1 | |
Тип входа | инвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 200 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 5 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 15 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | SOIC-8(0.154 inch) | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1199 КБ
Datasheet
pdf, 1237 КБ
Документация
pdf, 1219 КБ
Datasheet IRS2011PBF
pdf, 349 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем