ISL2111ARTZ-T, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, MOSFET, 10 вывод(-ов), TDFN

ISL2111ARTZ-T, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, MOSFET, 10 вывод(-ов), TDFN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5930 шт., срок 7-9 недель
1 250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.1 100 руб.
от 25 шт.1 030 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 500 руб.
Плати частями
от 625 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002732995
Артикул: ISL2111ARTZ-T
Бренд: Renesas Technology

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов

• Drives N-Channel MOSFET half-bridge, bootstrap supply max voltage to 114VDC
• On-chip 1W bootstrap diode, fast propagation times for multi-MHz circuits
• Drives 1nF load with typical rise/fall times of 9ns/7.5ns
• 3.3V/TTL compatible input thresholds
• Independent inputs provide flexibility, no start-up problems
• Outputs unaffected by supply glitches, HS ringing below ground or HS slewing at high dv/dt
• Low power consumption, supply undervoltage protection
• Wide supply voltage range from 8V to 14V
• 1.6W/1W typical output pull-up/pull-down resistance
• 10 Ld TDFN package, temperature range from -40 to +125°C

Технические параметры

Тип входа Non-Inverting
IC Case / Package TDFN
Задержка Выхода 32нс
Задержка по Входу 38нс
Количество Выводов 10вывод(-ов)
Количество Каналов 2канал(-ов)
Конфигурация Привода Полумост
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальное Напряжение Питания 14В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Стиль Корпуса Привода TDFN
Тип переключателя питания MOSFET
Ток истока
Ток стока
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 2-1 год
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 889 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.