ISL2111ARTZ-T, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, MOSFET, 10 вывод(-ов), TDFN
![ISL2111ARTZ-T, Gate Driver, 2 канал(-ов), Полумост, MOSFET, 10 вывод(-ов), TDFN](https://static.chipdip.ru/lib/535/DOC021535814.jpg)
см. техническую документацию
от 625 руб. × 4 платежа
Описание
• Drives N-Channel MOSFET half-bridge, bootstrap supply max voltage to 114VDC
• On-chip 1W bootstrap diode, fast propagation times for multi-MHz circuits
• Drives 1nF load with typical rise/fall times of 9ns/7.5ns
• 3.3V/TTL compatible input thresholds
• Independent inputs provide flexibility, no start-up problems
• Outputs unaffected by supply glitches, HS ringing below ground or HS slewing at high dv/dt
• Low power consumption, supply undervoltage protection
• Wide supply voltage range from 8V to 14V
• 1.6W/1W typical output pull-up/pull-down resistance
• 10 Ld TDFN package, temperature range from -40 to +125°C
Технические параметры
Тип входа | Non-Inverting | |
IC Case / Package | TDFN | |
Задержка Выхода | 32нс | |
Задержка по Входу | 38нс | |
Количество Выводов | 10вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 2канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Полумост | |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 14В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 8В | |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) | |
Стиль Корпуса Привода | TDFN | |
Тип переключателя питания | MOSFET | |
Ток истока | 3А | |
Ток стока | 4А | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2-1 год | |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.