IXDN609SIATR, Gate Driver, 1 канал(-ов), Низкая Сторона, MOSFET, 8 вывод(-ов), SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 7-9 недель
490 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
420 руб.
от 50 шт. —
373 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 450 руб.
Плати частями
от 614 руб. × 4 платежа
от 614 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
IXDN609SIATR is a high-speed gate driver especially well suited for driving the latest IXYS MOSFETs and IGBTs.
• Non-inverting driver
• 9A peak source/sink drive current
• Wide operating voltage range from 4.5V to 35V
• Extended operating temperature range -40°C to +125°C
• Logic input withstands negative swing of up to 5V
• Matched rise and fall times
• Low propagation delay time
• Low 10µA supply current
• Low output impedance
• 8-pin SOIC package
Технические параметры
| Тип входа | Non-Inverting | |
| IC Case / Package | SOIC | |
| Задержка Выхода | 42нс | |
| Задержка по Входу | 40нс | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
| Конфигурация Привода | Низкая Сторона | |
| Линейка Продукции | PW Series | |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
| Максимальное Напряжение Питания | 35В | |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
| Минимальное Напряжение Питания | 4.5В | |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) | |
| Тип переключателя питания | MOSFET | |
| Ток истока | 9А | |
| Ток стока | 9А |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
