IXGH40N120B2D1, БТИЗ транзистор, 75 А, 2.9 В, 380 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 320 руб.

от 5 шт. — 4 050 руб.

от 10 шт. — 3 840 руб.

1 шт. на сумму 4 320 руб.

Плати частями
от 1 080 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8211308725

Артикул: IXGH40N120B2D1

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
Maximum Continuous Collector Current	75 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	6