IXGH48N60C3D1, БТИЗ транзистор, 75 А, 2.3 В, 300 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 350 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 180 руб.
от 10 шт. —
2 050 руб.
2 шт.
на сумму 4 700 руб.
Плати частями
от 1 175 руб. × 4 платежа
от 1 175 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 600В, 48А, 300Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.3В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 75А |
Power Dissipation | 300Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | GenX3 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXGH48N60C3D1
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов