IXGN320N60A3, TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B
![IXGN320N60A3, TRANSISTOR, IGBT, 600V, 320A, SOT-227B](https://static.chipdip.ru/lib/146/DOC036146334.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-9 недель
9 430 руб.
от 5 шт. —
8 810 руб.
от 10 шт. —
8 090 руб.
1 шт.
на сумму 9 430 руб.
Плати частями
от 2 359 руб. × 4 платежа
от 2 359 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.46В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 320А |
DC Ток Коллектора | 320А |
Power Dissipation | 735Вт |
Выводы БТИЗ | Tab |
Конфигурация БТИЗ | Single |
Линейка Продукции | GenX3 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.46В |
Рассеиваемая Мощность | 735Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-227B |
Вес, г | 44.82 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.