IXXH110N65C4, БТИЗ транзистор, 235 А, 2.06 В, 880 Вт, 650 В, TO-247AD, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 670 руб.
от 5 шт. —
2 480 руб.
от 10 шт. —
2 340 руб.
1 шт.
на сумму 2 670 руб.
Плати частями
от 669 руб. × 4 платежа
от 669 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
IGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXXH)
Технические параметры
Base Product Number | 110N65 -> |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Collector (Ic) (Max) | 234A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 600A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 180nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | PT |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 880W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | GenX4в„ў, XPTв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247 (IXXH) |
Switching Energy | 2.3mJ (on), 600ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 35ns/143ns |
Test Condition | 400V, 55A, 2Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 110A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Case | TO247-3 |
Collector current | 110A |
Collector-emitter voltage | 650V |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 880W |
Pulsed collector current | 600A |
Technology | GenX4™, Trench, XPT™ |
Turn-off time | 160ns |
Turn-on time | 71ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 172 КБ
Datasheet IXXH110N65C4
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов