IXYB82N120C3H1, БТИЗ транзистор, 164 А, 2.75 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, TO-264AA, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 230 руб.
1 шт.
на сумму 7 230 руб.
Плати частями
от 1 809 руб. × 4 платежа
от 1 809 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 82А, 1,04кВт, PLUS264™ Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 164 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1040 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | PLUS264 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 50kHz |
Transistor Configuration | Single |
Case | PLUS264™ |
Collector current | 82A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate charge | 215nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 1.04kW |
Pulsed collector current | 320A |
Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
Turn-off time | 295ns |
Turn-on time | 119ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов