IXYP20N65C3D1, БТИЗ транзистор, 50 А, 2.27 В, 200 Вт, 650 В, TO-220AB, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
298 шт., срок 7-9 недель
900 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
810 руб.
от 100 шт. —
605 руб.
3 шт.
на сумму 2 700 руб.
Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа
от 675 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
• XPT™ 650V GenX3™ w/diode
• Square RBSOA
• Avalanche rated
• Anti-parallel sonic diode
• Short circuit capability
• High power density
• Extremely rugged
• Low gate drive requirement
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.27В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Техническая документация
Datasheet IXYA20N65C3D1
pdf, 249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
