L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]
![Фото 1/7 L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC004368707.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/436/DOC004436685.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086574.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/571/DOC016571045.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748618.jpg)
1124 шт. со склада г.Москва
240 руб.
от 5 шт. —
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
MOSFET & IGBT Gate Drivers
STMicroelectronics MOSFET & IGBT Gate Drivers are a portfolio of discrete devices for industrial, consumer, computer and automotive applications. The portfolio offers a range spanning from single- to half-bridge and multiple-channel drivers. The drivers are rated for either low- or high-voltage (up to 1500V) applications. ST also offers galvanically-isolated gate driver ICs for safety and functional requirements. System-in-Package (SiP) solutions integrate high- and low-side gate drivers and MOSFET-based power stages. This makes them ideal for the industrial market with higher levels of integration and lower development costs.
STMicroelectronics MOSFET & IGBT Gate Drivers are a portfolio of discrete devices for industrial, consumer, computer and automotive applications. The portfolio offers a range spanning from single- to half-bridge and multiple-channel drivers. The drivers are rated for either low- or high-voltage (up to 1500V) applications. ST also offers galvanically-isolated gate driver ICs for safety and functional requirements. System-in-Package (SiP) solutions integrate high- and low-side gate drivers and MOSFET-based power stages. This makes them ideal for the industrial market with higher levels of integration and lower development costs.
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 17(Max) | |
Логическое напряжение (VIL), В | 1.1 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 1.8 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 0.4 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 0.65 | |
Тип входа | инвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 70 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 40 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | SOIC-8(0.154 inch) | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 413 КБ
Datasheet
pdf, 396 КБ
Datasheet L6388ED013TR
pdf, 183 КБ
Datasheet L6388E
pdf, 414 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.