MD15FSR120L2SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 25 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, Module
![MD15FSR120L2SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 25 А, 1.2 кВ, 0.08 Ом, Module](https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC035300570.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
30 460 руб.
от 5 шт. —
27 700 руб.
от 10 шт. —
25 060 руб.
1 шт.
на сумму 30 460 руб.
Плати частями
от 7 615 руб. × 4 платежа
от 7 615 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | Six N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.08Ом |
Power Dissipation | 101Вт |
Количество Выводов | 23вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 25А |
Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
Рассеиваемая Мощность | 101Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.08Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet MD15FSR120L2SF
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.