MD30FSR120L2SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, Module
![MD30FSR120L2SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, Module](https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC035300570.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
46 660 руб.
от 5 шт. —
39 530 руб.
1 шт.
на сумму 46 660 руб.
Плати частями
от 11 665 руб. × 4 платежа
от 11 665 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | Six N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 203Вт |
Количество Выводов | 23вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 18В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 49А |
Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
Пороговое Напряжение Vgs | 5.6В |
Рассеиваемая Мощность | 203Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet MD30FSR120L2SF
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.