MD30FSR120L2SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, Module

MD30FSR120L2SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 49 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
46 660 руб.
от 5 шт.39 530 руб.
1 шт. на сумму 46 660 руб.
Плати частями
от 11 665 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8006492168
Артикул: MD30FSR120L2SF
Бренд: STARPOWER

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Технические параметры

Channel Type Six N Channel
Drain Source On State Resistance 0.04Ом
Power Dissipation 203Вт
Количество Выводов 23вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Напряжение Измерения Rds(on) 18В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 49А
Полярность Транзистора Шесть N Каналов
Пороговое Напряжение Vgs 5.6В
Рассеиваемая Мощность 203Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.04Ом
Стиль Корпуса Транзистора Module
Вес, г 300

Техническая документация

Datasheet MD30FSR120L2SF
pdf, 175 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.