MD75FSC120L3SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 А, 1.2 кВ, 0.016 Ом, Module
![MD75FSC120L3SF, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Six N Channel, 95 А, 1.2 кВ, 0.016 Ом, Module](https://static.chipdip.ru/lib/300/DOC035300578.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
87 370 руб.
1 шт.
на сумму 87 370 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
Channel Type | Six N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
Power Dissipation | 277Вт |
Количество Выводов | 33вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 95А |
Полярность Транзистора | Шесть N Каналов |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 277Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Вес, г | 200 |
Техническая документация
Datasheet MD75FSC120L3SF
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.