MMUN2211LT1G, Транзистор, Digital NPN, 50В, 100мА, [SOT-23]
![Фото 1/6 MMUN2211LT1G, Транзистор, Digital NPN, 50В, 100мА, [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/871/DOC015871932.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/676/DOC028676193.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/710/DOC040710870.jpg)
13 руб.
от 100 шт. —
6.50 руб.
1 шт.
на сумму 13 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Структура | npn с 2 резисторами | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 35 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.246 | |
Корпус | sot-23 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов