MPIM1000H117TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 1.85 В, 6.25 кВт, 150 °C, Module

MPIM1000H117TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1 кА, 1.85 В, 6.25 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
84 170 руб.
от 2 шт.79 980 руб.
от 3 шт.74 110 руб.
1 шт. на сумму 84 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007243268
Артикул: MPIM1000H117TG5
Бренд: Multicomp

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.85В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 1кА
DC Ток Коллектора 1кА
Power Dissipation 6.25кВт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 12вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.85В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность 6.25кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench)
Вес, кг 1.8

Техническая документация

Datasheet MPIM1000H117TG5
pdf, 3468 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.