MPIM1400H112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.4 кА, 1.8 В, 7.5 кВт, 150 °C, Module

MPIM1400H112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 1.4 кА, 1.8 В, 7.5 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
114 800 руб.
от 2 шт.103 500 руб.
от 3 шт.101 060 руб.
1 шт. на сумму 114 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007243269
Артикул: MPIM1400H112TG5
Бренд: Multicomp

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.8В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 1.4кА
DC Ток Коллектора 1.4кА
Power Dissipation 7.5кВт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 12вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.8В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность 7.5кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench)
Вес, кг 1.8

Техническая документация

Datasheet MPIM1400H112TG5
pdf, 3223 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.