MPIM450M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 450 А, 1.65 В, 2.8 кВт, 150 °C, Module

MPIM450M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 450 А, 1.65 В, 2.8 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
38 610 руб.
от 2 шт.32 470 руб.
от 3 шт.30 860 руб.
1 шт. на сумму 38 610 руб.
Плати частями
от 9 654 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007235212
Артикул: MPIM450M112TG5
Бренд: Multicomp

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 450А
DC Ток Коллектора 450А
Power Dissipation 2.8кВт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 11вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.65В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность 2.8кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench)
Вес, кг 1.7

Техническая документация

Datasheet MPIM450M112TG5
pdf, 3762 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.