MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module
![MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/358/DOC035358168.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-9 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
39 750 руб.
от 2 шт. —
33 430 руб.
от 3 шт. —
31 770 руб.
1 шт.
на сумму 39 750 руб.
Плати частями
от 9 939 руб. × 4 платежа
от 9 939 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 600А |
DC Ток Коллектора | 600А |
Power Dissipation | 3кВт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 11вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 3кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench) |
Вес, кг | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet MPIM600M112TG5
pdf, 830 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.