MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]
![MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294585.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
244 шт. со склада г.Москва
170 руб.
от 10 шт. —
153 руб.
1 шт.
на сумму 170 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9001265910
Артикул: MS4N1350E
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9 Ом/1.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 80 | |
Крутизна характеристики, S | 2.6 | |
Корпус | TO-263 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.2…6 | |
Вес, г | 2.4 |
Техническая документация
MS4N1350
pdf, 1335 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.