MS8N120FC, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-247]
![MS8N120FC, Транзистор N-MOSFET 1200В 8А 260Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 шт. со склада г.Екатеринбург
240 руб.
от 10 шт. —
216 руб.
1 шт.
на сумму 240 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9001265914
Артикул: MS8N120FC
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5 Ом/4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 | |
Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
Корпус | TO-247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
MS8N120F
pdf, 2381 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.