MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F, Флеш память, SLC NAND, 4 Гбит, 512M x 8bit, Parallel, VFBGA, 63 вывод(-ов)
см. техническую документацию
от 745 руб. × 4 платежа
Описание
• Single-level cell (SLC) technology, asynchronous I/O performance
• Array performance, read page is 45µs (typical)
• Command set is ONFI NAND flash protocol, read unique ID
• Operation status byte provides software method for detecting, operation completion
• First block (block address 00h) is valid when shipped from factory
• RESET (FFh) required as first command after power-on, quality and reliability
• Internal data move operations supported within the plane from which data is read
• 4Gb density, 8bit device width, SLC level
• 3.3V (2.7-3.6V) operating voltage, asynchronous interface
• 63-ball VFBGA (9 x 11 x1.0mm) package, automotive operating temperature range from -40°C to +105°C
Технические параметры
| IC Case / Package | VFBGA |
| Interfaces | Parallel |
| Memory Configuration | 512M x 8bit |
| Время Доступа | 16нс |
| Количество Выводов | 63вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | 3.3V SLC NAND Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 50МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Плотность Памяти | 4Гбит |
| Тип Flash Памяти | SLC NAND |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
