MT42L32M32D1HE-18 IT:D, DRAM, Mobile LPDDR2, 1 Гбит, 32M x 32bit, 533 МГц, FBGA, 134 вывод(-ов)

MT42L32M32D1HE-18 IT:D, DRAM, Mobile LPDDR2, 1 Гбит, 32M x 32bit, 533 МГц, FBGA, 134 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 880 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.1 690 руб.
от 25 шт.1 640 руб.
2 шт. на сумму 3 760 руб.
Плати частями
от 940 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8013406073
Артикул: MT42L32M32D1HE-18 IT:D

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM

MT42L32M32D1HE-18 IT: D is a mobile LPDDR2 SDRAM. It is a 1Gb mobile low-power DDR2 SDRAM (LPDDR2) and high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 1.073.741.824 bits. This memory is internally configured as an eight-bank DRAM. Each of the x16's 134.217.728-bit banks is organized as 8192 rows by 1024 columns by 16 bits. Each of the x32's 134.217.728-bit banks is organized as 8192 rows by 512 columns by 32 bits. It has multiplexed, double data rate, command/address inputs; commands entered on every CK edge. It has bidirectional/differential data strobe per byte of data (DQS/DQS#), programmable READ and WRITE latencies (RL/WL).

• Operating voltage range is 1.2V
• 32Meg x 32 configuration
• Packaging style is 134-ball FBGA, 10mm x 11.5mm
• Cycle time is 1.875ns, ᵗCK RL = 8, LPDDR2, 1die addressing
• Operating temperature range is -40°C to +85°C, first generation
• Clock rate is 533MHz, data rate is 1066Mb/s/pin
• Ultra low-voltage core and I/O power supplies, four-bit prefetch DDR architecture
• Eight internal banks for concurrent operation, per-bank refresh for concurrent operation
• Partial-array self refresh (PASR), deep power-down mode (DPD)
• Selectable output drive strength (DS), clock stop capability

Технические параметры

IC Case / Package FBGA
Memory Configuration 32M x 32bit
Количество Выводов 134вывод(-ов)
Линейка Продукции PW Series
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальная Тактовая Частота 533МГц
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Номинальное Напряжение Питания 1.2В
Плотность Памяти 1Гбит
Тип DRAM Mobile LPDDR2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 177 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем