MT53E256M32D2DS-053 WT:B, DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Гбит, 256M x 32bit, 1.866 ГГц, WFBGA, 200 вывод(-ов)

Фото 1/2 MT53E256M32D2DS-053 WT:B, DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Гбит, 256M x 32bit, 1.866 ГГц, WFBGA, 200 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 990 руб.
от 10 шт.3 580 руб.
от 25 шт.3 320 руб.
1 шт. на сумму 3 990 руб.
Плати частями
от 999 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003900695
Артикул: MT53E256M32D2DS-053 WT:B

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM

• 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage range, 256 Meg x 32 configuration
• LPDDR4, 2 die count, 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
• 8Gb total density, 3733Mb/s data rate per pin
• 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
• Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
• Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths
• On-chip temperature sensor to control self refresh rate
• Partial-array self refresh, selectable output drive strength, clock-stop capability
• Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
• 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -30°C to +85°C

Технические параметры

IC Case / Package WFBGA
Memory Configuration 256M x 32bit
Количество Выводов 200вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM 256M x 32бит
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальная Тактовая Частота 1.866ГГц
Минимальная Рабочая Температура -30°C
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Номинальное Напряжение Питания 1.1В
Плотность DRAM 8Гбит
Плотность Памяти 8Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти WFBGA
Тактовая Частота 1.866ГГц
Тип DRAM Mobile LPDDR4
Brand: Micron
Data Bus Width: 32 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1360
Manufacturer: Micron Technology
Maximum Clock Frequency: 1.866 GHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 8 Gbit
Minimum Operating Temperature: -25 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 256 M x 32
Package / Case: VFBGA-200
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: MT53E
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Voltage - Max: 1.1 V
Type: SDRAM Mobile-LPDDR4
Вес, г 1.52

Техническая документация

Datasheet
pdf, 9866 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем