MT53E2G32D4DE-046 AUT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Гбит, 2G x 32бит, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)
![MT53E2G32D4DE-046 AUT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Гбит, 2G x 32бит, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172171.jpg)
см. техническую документацию
от 4 484 руб. × 4 платежа
Описание
MT53E2G32D4DE-046 AUT: C is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X)is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel x 16 I/O, each channel having 8-banks.
• 2 Gig x 32 configuration, 4266Mb/s data rate pin
• LPDDR4, 4 die count
• Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
• 16n prefetch DDR architecture
• 8 internal banks per channel for concurrent operation
• Single-data-rate CMD/ADR entry
• Bidirectional/differential data strobe per byte lane
• Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
• Automotive AEC-Q100 qualified
• Operating temperature range from -40°C to +125°C
Технические параметры
Время Доступа | 468пс |
Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
Конфигурация памяти DRAM | 2G x 32бит |
Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
Плотность DRAM | 64Гбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TFBGA |
Тактовая Частота | 2.133ГГц |
Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем