MT53E2G32D4DE-046 AUT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Гбит, 2G x 32бит, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Гбит, 2G x 32бит, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 930 руб.
от 5 шт.16 380 руб.
от 10 шт.15 870 руб.
1 шт. на сумму 17 930 руб.
Плати частями
от 4 484 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8016034993
Артикул: MT53E2G32D4DE-046 AUT:C

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM

MT53E2G32D4DE-046 AUT: C is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X)is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel x 16 I/O, each channel having 8-banks.

• 2 Gig x 32 configuration, 4266Mb/s data rate pin
• LPDDR4, 4 die count
• Operating voltage range from 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ
• 16n prefetch DDR architecture
• 8 internal banks per channel for concurrent operation
• Single-data-rate CMD/ADR entry
• Bidirectional/differential data strobe per byte lane
• Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32)
• Automotive AEC-Q100 qualified
• Operating temperature range from -40°C to +125°C

Технические параметры

Время Доступа 468пс
Количество Выводов 200вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM 2G x 32бит
Максимальная Рабочая Температура 125 C
Минимальная Рабочая Температура -40 C
Номинальное Напряжение Питания 1.1В
Плотность DRAM 64Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TFBGA
Тактовая Частота 2.133ГГц
Тип DRAM Mobile LPDDR4

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем