MT53E2G32D4DT-046 WT:A, DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Гбит, 2G x 32bit, 2.133 ГГц, VFBGA, 200 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 590 руб.
от 5 шт. —
10 110 руб.
от 10 шт. —
9 240 руб.
1 шт.
на сумму 10 590 руб.
Плати частями
от 2 649 руб. × 4 платежа
от 2 649 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM
• 2.133GHz clock frequency
• Operating temperature range from -30°C to 85°C
• Performance: peak bandwidth 33% faster compared to DDR4
• Power consumption: 5 times lower power consumption in standby mode compared to standard DRAM
• Package designs save PCB space
Технические параметры
| IC Case / Package | VFBGA |
| Memory Configuration | 2G x 32bit |
| Время Доступа | 468пс |
| Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
| Конфигурация памяти DRAM | 2G x 32бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 2.133ГГц |
| Минимальная Рабочая Температура | -25°C |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
| Плотность DRAM | 64Гбит |
| Плотность Памяти | 64Гбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | VFBGA |
| Тактовая Частота | 2.133ГГц |
| Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
| Вес, г | 1.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 186 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
