MT53E512M32D1NP-046 WT:B, DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, FBGA
![MT53E512M32D1NP-046 WT:B, DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, FBGA](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172155.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 220 руб.
от 10 шт. —
3 770 руб.
от 25 шт. —
3 510 руб.
1 шт.
на сумму 4 220 руб.
Плати частями
от 1 055 руб. × 4 платежа
от 1 055 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM
Технические параметры
IC Case / Package | FBGA |
Memory Configuration | 512M x 32bit |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальная Тактовая Частота | 2.133ГГц |
Минимальная Рабочая Температура | -25°C |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
Плотность Памяти | 16Гбит |
Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем