MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B, DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins
![MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B, DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172155.jpg)
см. техническую документацию
от 1 184 руб. × 4 платежа
Описание
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
• 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
• Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
• Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
• Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
• On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
• Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
• 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
• 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
• 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
• Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Технические параметры
IC Case / Package | TFBGA |
Memory Configuration | 512M x 32bit |
Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 95°C |
Максимальная Тактовая Частота | 2.133ГГц |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
Плотность Памяти | 16Гбит |
Тип DRAM | LPDDR4 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем