MT53E512M32D2FW-046 WT:D, DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)
![MT53E512M32D2FW-046 WT:D, DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/840/DOC001840952.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 050 руб.
от 5 шт. —
5 670 руб.
от 10 шт. —
5 490 руб.
1 шт.
на сумму 6 050 руб.
Плати частями
от 1 514 руб. × 4 платежа
от 1 514 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM
Технические параметры
IC Case / Package | TFBGA |
Memory Configuration | 512M x 32bit |
Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
Конфигурация памяти DRAM | 512M x 32бит |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальная Тактовая Частота | 2.133ГГц |
Минимальная Рабочая Температура | -25°C |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
Плотность DRAM | 16Гбит |
Плотность Памяти | 16Гбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TFBGA |
Тактовая Частота | 2.133ГГц |
Тип DRAM | Mobile LPDDR4 |
Вес, г | 3.58 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 9850 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем