MT53E512M32D2FW-046 WT:D, DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)

MT53E512M32D2FW-046 WT:D, DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Гбит, 512M x 32bit, 2.133 ГГц, TFBGA, 200 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 050 руб.
от 5 шт.5 670 руб.
от 10 шт.5 490 руб.
1 шт. на сумму 6 050 руб.
Плати частями
от 1 514 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8007453406
Артикул: MT53E512M32D2FW-046 WT:D

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM

Технические параметры

IC Case / Package TFBGA
Memory Configuration 512M x 32bit
Количество Выводов 200вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM 512M x 32бит
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальная Тактовая Частота 2.133ГГц
Минимальная Рабочая Температура -25°C
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Номинальное Напряжение Питания 1.1В
Плотность DRAM 16Гбит
Плотность Памяти 16Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TFBGA
Тактовая Частота 2.133ГГц
Тип DRAM Mobile LPDDR4
Вес, г 3.58

Техническая документация

Datasheet
pdf, 9850 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем