MT62F1G32D2DS-023 WT:B, DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Гбит, 1G x 32bit, 4.266 ГГц, TFBGA, 315 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 320 руб.
от 5 шт. —
5 930 руб.
от 10 шт. —
5 750 руб.
1 шт.
на сумму 6 320 руб.
Плати частями
от 1 580 руб. × 4 платежа
от 1 580 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\DRAM
• Y42M mobile LPDDR5 SDRAM
• 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK: CK = 2: 1 or 4: 1)
• Single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
• Differential data clocks (WCK
• t/WCK
• c), background ZQ calibration/command-based ZQ calibration
• Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
• I/O type: low-swing single-ended, VSS terminated, VOH-compensated output drive
• Dynamic voltage frequency scaling core, single-ended CK, single-ended WCK and single-ended RDQS
• Operating voltage is 1.05V VDD2/0.5V VDDQ
• 1 Gig x 32 configuration
• 315-ball TFBGA package, -25°C <= Tc <= +85°C operating temperature
Технические параметры
| IC Case / Package | TFBGA |
| Memory Configuration | 1G x 32bit |
| Количество Выводов | 315вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 4.266ГГц |
| Минимальная Рабочая Температура | -25°C |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 1.05В |
| Плотность Памяти | 32Гбит |
| Тип DRAM | Mobile LPDDR5 |
| Вес, г | 3.46 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
