NCD57000DWR2G, IGBT Driver, High Side and Low Side, 7.1A, 3.3V to 5V Supply, 60ns/66ns Delay, WSOIC-16

Фото 1/2 NCD57000DWR2G, IGBT Driver, High Side and Low Side, 7.1A, 3.3V to 5V Supply, 60ns/66ns Delay, WSOIC-16
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 700 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.1 340 руб.
от 100 шт.1 120 руб.
2 шт. на сумму 3 400 руб.
Плати частями
от 850 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8002393840
Артикул: NCD57000DWR2G

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов

NCD57000 is a high-current single channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications. Its features include complementary inputs, open drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. NCD57000 accommodates both 5 V and 3.3 V signals on the input side and wide bias voltage range on the driver side including negative voltage capability.

• High Current Output (+4/-6 A) at IGBT Miller Plateau Voltages
• Low Output Impedance for Enhanced IGBT Driving
• Short Propagation Delays with Accurate Matching
• Active Miller Clamp to Prevent Spurious Gate Turn-on
• DESAT Protection with Programmable Delay
• Negative Voltage (Down to -9 V) Capability for DESAT
• Soft Turn Off During IGBT Short Circuit
• IGBT Gate Clamping During Short Circuit
• IGBT Gate Active Pull Down
• Tight UVLO Thresholds for Bias Flexibility
• Wide Bias Voltage Range including Negative VEE2
• 3.3 V to 5 V Input Supply Voltage
• Designed for AEC-Q100 Certification
• 5000 V Galvanic Isolation (to meet UL1577 Requirements)
• 1200 V Working Voltage (per VDE0884-11 Requirements)

Технические параметры

Тип входа Inverting, Non-Inverting
IC Case / Package WSOIC
Задержка Выхода 66нс
Задержка по Входу 60нс
Количество Выводов 16вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Высокая Сторона и Низкая Сторона
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 3.3В
Стиль Корпуса Привода WSOIC
Тип переключателя питания IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
Ток истока 7.8А
Ток стока 7.1А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: onsemi
Configuration: Inverting, Non-Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 15 ns
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +125 C
Maximum Turn-Off Delay Time: 90 ns
Maximum Turn-On Delay Time: 90 ns
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 1 Driver
Number of Outputs: 2 Output
Operating Supply Current: 4.8 mA
Output Current: 6 A
Output Voltage: 24 V
Package/Case: SOIC-16
Pd - Power Dissipation: 1400 mW
Product Category: Isolated Gate Drivers
Product Type: Isolated Gate Drivers
Product: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Propagation Delay - Max: 90 ns
Rise Time: 10 ns
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 5 V
Supply Voltage - Min: 3.3 V
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet NCD57000DWR2G
pdf, 152 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем