NCV57080CDR2G, Gate Driver, 1 канал(-ов), IGBT, 8 вывод(-ов), NSOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
550 руб.
от 100 шт. —
425 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 600 руб.
Плати частями
от 650 руб. × 4 платежа
от 650 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The ON Semiconductor NCV57080C is a high-current single channel IGBT gate drivers with 3.75 kVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications.
Технические параметры
| Тип входа | Inverting, Non-Inverting | |
| IC Case / Package | NSOIC | |
| Задержка Выхода | 60нс | |
| Задержка по Входу | 60нс | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.4В | |
| Стиль Корпуса Привода | NSOIC | |
| Тип переключателя питания | IGBT | |
| Ток истока | 8А | |
| Ток стока | 8А | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Output Current | 8 A | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Supply Voltage | 3.3-20V | |
| Вес, г | 3.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 775 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
