NJVMJD44H11G, Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 5 шт. —
270 руб.
1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 8 A |
| DC Current Gain hFE Max: | 60 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 75 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 85 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | MJD44H11 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 308 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
