NTJD5121NT1G, Транзистор MOSFET 2N-канала 60В 295мА SOT-363
![Фото 1/3 NTJD5121NT1G, Транзистор MOSFET 2N-канала 60В 295мА SOT-363](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC004171047.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/030/DOC023030878.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/774/DOC043774762.jpg)
150 руб.
от 5 шт. —
141 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:60V; Drain Source Voltage Vds P Channel:60V; Continuous Drain Current Id N Channel:304mA; Continuous Drain 08R3934
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.295 |
Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1600 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 266 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SC |
Supplier Package | SC-88 |
Typical Fall Time (ns) | 32 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.9 4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 26 20V |
Typical Rise Time (ns) | 34 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов