NTMFS5C628NLT1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В [DFN-5 / SO-8FL]
![Фото 1/2 NTMFS5C628NLT1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В [DFN-5 / SO-8FL]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313837.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/009/DOC029009213.jpg)
490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
Maximum Drain Source Resistance | 3.3 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 110 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DFN |
Pin Count | 5 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
Width | 6.1mm |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов