NTMFS5C628NLT1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В [DFN-5 / SO-8FL]

Фото 1/2 NTMFS5C628NLT1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В [DFN-5 / SO-8FL]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 9000457000
Артикул: NTMFS5C628NLT1G

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.2V
Maximum Continuous Drain Current 150 A
Maximum Drain Source Resistance 3.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 110 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DFN
Pin Count 5
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 52 nC @ 10 V
Width 6.1mm
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 91 КБ
NTMFS5C628NL_D-1101589
pdf, 184 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов