NXH25C120L2C2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 25 А, 1.7 В
![NXH25C120L2C2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, Three Phase CIB [Converter + Inverter + Brake], 25 А, 1.7 В](https://static.chipdip.ru/lib/701/DOC024701566.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 620 руб.
от 5 шт. —
13 420 руб.
1 шт.
на сумму 14 620 руб.
Плати частями
от 3 655 руб. × 4 платежа
от 3 655 руб. × 4 платежа
Описание
The ON Semiconductor transfer molded power module containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 25 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 25 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 25 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | 3 Phase |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20.0V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 6 |
| Package Type | DIP26 |
| Вес, г | 2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
