NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 180 руб.
от 5 шт. —
37 270 руб.
1 шт.
на сумму 42 180 руб.
Плати частями
от 10 545 руб. × 4 платежа
от 10 545 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
The NXH40T120L3Q1PG/SG is a case power module containing a three channel T-type neutral-point clamped (TNPC) circuit.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 42А |
DC Ток Коллектора | 42А |
Power Dissipation | 146Вт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | PIM Half Bridge Inverter |
Линейка Продукции | NXH40T120L3Q1 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 146Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 145 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | Q13-TNPC |
Pin Count | 44 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2416 КБ
Datasheet NXH40T120L3Q1SG
pdf, 2213 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов