NXH50C120L2C2ESG, IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19 740 руб.

от 5 шт. — 18 060 руб.

1 шт. на сумму 19 740 руб.

Плати частями
от 4 935 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8007980774

Артикул: NXH50C120L2C2ESG

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.8В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	50А
DC Ток Коллектора	50А
Выводы БТИЗ	Solder
Количество Выводов	26вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	Three Phase CIB(Converter+Inverter+Brake)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.8В
Полярность Транзистора	Шесть N Каналов
Стиль Корпуса Транзистора	DIP
Вес, г	2

pdf, 397 КБ

Мы рекомендуем