NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 190 руб.
от 5 шт. —
14 750 руб.
от 10 шт. —
14 250 руб.
1 шт.
на сумму 16 190 руб.
Плати частями
от 4 049 руб. × 4 платежа
от 4 049 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 67А |
DC Ток Коллектора | 67А |
Power Dissipation | 158мВт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 20вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | PIM Half Bridge Inverter |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.35В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 158мВт |
Стиль Корпуса Транзистора | PIM |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NXH80T120L2Q0S2G
pdf, 605 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов