PDTC143ET,215, Транзистор NPN 50В 100мА [SOT-23 / TO-236AB]
![Фото 1/7 PDTC143ET,215, Транзистор NPN 50В 100мА [SOT-23 / TO-236AB]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735649.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/536/DOC007536407.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/352/DOC022352783.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/328/DOC028328523.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
631 шт. со склада г.Москва
6 000 шт. ожидается на склад г.Москва после 21 августа 2024 г.
14 руб.
от 100 шт. —
9.80 руб.
1 шт.
на сумму 14 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Структура | npn с 2 резисторами | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 | |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 | |
Корпус | sot-23 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 744 КБ
Datasheet
pdf, 1044 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTC143E_SER
pdf, 840 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.