PMV65XP,215, Транзистор MOSFET P-CH 20V 3.9A 76 mOhm, [SOT-23-3]
![Фото 1/6 PMV65XP,215, Транзистор MOSFET P-CH 20V 3.9A 76 mOhm, [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC002827429.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/785/DOC038785661.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/785/DOC038785672.jpg)
4049 шт. со склада г.Москва
22 руб.
от 100 шт. —
18 руб.
1 шт.
на сумму 22 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
The PMV65XP, 215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
• Low Threshold Voltage
• Low On-state Resistance
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.074 Ом/2.8А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.48 | |
Крутизна характеристики, S | 15 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PMV65XP
pdf, 264 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.