QH8JB5TCR, Двойной МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 40 В, 5 А, 5 А, 0.033 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8950 шт., срок 7-9 недель
330 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
223 руб.
8 шт.
на сумму 2 640 руб.
Плати частями
от 660 руб. × 4 платежа
от 660 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.033Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.033Ом |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 40В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 40В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 5А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 5А |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.01 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
