QH8K22TCR

QH8K22TCR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3000 шт., срок 7-9 недель
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт.115 руб.
15 шт. на сумму 2 700 руб.
Плати частями
от 675 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8013322713
Бренд: Rohm

Описание

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 2 ns
Id - Continuous Drain Current: 6.5 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TSMT-8
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: QH8K22
Pd - Power Dissipation: 2.5 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 2.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 46 mOhms
Rise Time: 2.9 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 15 ns
Typical Turn-On Delay Time: 3.9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.