QS8J13TR, Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.015 ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2869 шт., срок 7-9 недель
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 100 шт. —
163 руб.
11 шт.
на сумму 2 750 руб.
Плати частями
от 689 руб. × 4 платежа
от 689 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors - Discretes\FETs\Dual MOSFETs
12V 5.5A 22mΩ@5.5A,4.5V 1.25W 1V@1mA 2 P-Channel TSMT8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 5.5A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 5.5A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.015ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.015ohm |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 12V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 12V |
| No. of Pins | 8Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 1.5W |
| Power Dissipation P Channel | 1.5W |
| Transistor Case Style | TSMT |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@5.5A, 4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.3nF@6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 60nC@4.5V |
| Type | 2 P-Channel |
| Вес, г | 5.58 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
