R6000ENHTB1, MOSFET, N-CH, 600V, 0.5A, SOP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 7-9 недель
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
151 руб.
12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Плати частями
от 690 руб. × 4 платежа
от 690 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 7.3Ом |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6000ENHTB1
pdf, 2317 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
