R6009KNJTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 9 А, 0.5 Ом, TO-263S, Surface Mount
![Фото 1/2 R6009KNJTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 9 А, 0.5 Ом, TO-263S, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531970.jpg)
94 шт., срок 7-9 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
270 руб.
9 шт.
на сумму 2 790 руб.
Плати частями
от 699 руб. × 4 платежа
от 699 руб. × 4 платежа
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Nch 600V 9A Si МОП-транзистор
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.5Ом |
Power Dissipation | 94Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 94Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
Pd - рассеивание мощности | 94 W |
Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 33 ns |
Время спада | 28 ns |
Другие названия товара № | R6009KNJ |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.3 S |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | Super Junction-MOS KN |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 37 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6009KNJTL
pdf, 1493 КБ
Datasheet R6009KNJTL
pdf, 1229 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.