R6012JNXC7G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 12 А, 0.3 Ом, TO-220FM, Through Hole
![Фото 1/3 R6012JNXC7G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 12 А, 0.3 Ом, TO-220FM, Through Hole](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094781.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC006801399.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/326/DOC028326904.jpg)
43 шт., срок 7-9 недель
800 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
720 руб.
4 шт.
на сумму 3 200 руб.
Плати частями
от 800 руб. × 4 платежа
от 800 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 600V N-CH 12A POWER МОП-транзистор
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.3Ом |
Power Dissipation | 60Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 12А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
Рассеиваемая Мощность | 60Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.3Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 28 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 390 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 17 ns |
Время спада | 15 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 44 ns |
Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
Maximum Drain Source Resistance | 390 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 7V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 60 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 5V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FM |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
Width | 5mm |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.