R6015ENX, MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220FM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
144 шт., срок 7-9 недель
800 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
680 руб.
от 100 шт. —
568 руб.
4 шт.
на сумму 3 200 руб.
Плати частями
от 800 руб. × 4 платежа
от 800 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канал 600V 15A (Tc) 40W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.26Ом |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FM |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Base Product Number | R6015 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@6.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 910pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6015ENX
pdf, 1865 КБ
Datasheet R6015ENX
pdf, 2460 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
