R6018JNJGTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 18 А, 0.22 Ом, TO-263S, Surface Mount
![Фото 1/2 R6018JNJGTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 18 А, 0.22 Ом, TO-263S, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/631/DOC006631338.jpg)
30 шт., срок 7-9 недель
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
580 руб.
4 шт.
на сумму 2 560 руб.
Плати частями
от 640 руб. × 4 платежа
от 640 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 600V N-CH 18A POWER
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
Power Dissipation | 220Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 18А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 6В |
Рассеиваемая Мощность | 220Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
Pd - рассеивание мощности | 220 W |
Qg - заряд затвора | 42 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 286 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 12 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PrestoMOS |
Конфигурация | Single |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BM14270MUV-LB |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Типичное время задержки при включении | 26 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6018JNJGTL
pdf, 2234 КБ
Datasheet R6018JNJGTL
pdf, 1489 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.