R6020FNX, MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-220FM-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

188 шт., срок 7-9 недель

1 480 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 1 310 руб.

от 10 шт. — 1 130 руб.

2 шт. на сумму 2 960 руб.

Плати частями
от 740 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8108159069

Артикул: R6020FNX

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

N-канал 600V 20A (Tc) 50W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.19Ом
Power Dissipation	85Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	20А
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Base Product Number	R6020 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2040pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Bulk
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 10A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	TO-220FM
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Вес, г	1

pdf, 945 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем